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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BYC10B-600
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BYC10B-600

更新时间： 2024-09-16 22:09:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管开关超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
Rectifier diode ultrafast, low switching loss

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BYC10B-600 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.41
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.8 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：71 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：200 µA
最大反向恢复时间：0.055 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYC10B-600 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diode  
ultrafast, low switching loss  
BYC10B-600  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 600 V  
• Extremely fast switching  
• Low reverse recovery current  
• Low thermal resistance  
• Reduces switching losses in  
associated MOSFET  
VF ≤ 1.8 V  
k
tab  
a
3
IF(AV) = 10 A  
trr = 19 ns (typ)  
APPLICATIONS  
PINNING  
SOT404  
• Active power factor correction  
• Half-bridge lighting ballasts  
• Half-bridge/ full-bridge switched  
mode power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
no connection  
cathode1  
tab  
1
2
The BYC10B-600 is supplied in  
the SOT404 surface mounting  
package.  
3
anode  
2
tab  
cathode  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
-
-
-
-
600  
600  
500  
10  
V
V
V
A
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
Average forward current  
T
mb ≤ 114 ˚C  
δ = 0.5; with reapplied VRRM(max)  
mb ≤ 78 ˚C1  
IF(AV)  
;
;
T
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward current δ = 0.5; with reapplied VRRM(max)  
-
20  
A
T
mb ≤ 78 ˚C1  
Non-repetitive peak forward  
current.  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
-
-
65  
71  
A
A
sinusoidal; Tj = 150˚C prior to surge  
with reapplied VRWM(max)  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to minimum footprint, FR4 board  
ambient  
-
-
-
2
-
K/W  
K/W  
50  
1 it is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package  
September 1998  
1
Rev 1.100  
 
123456

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BYC10B-600 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYC10B-600/T3 NXP

功能相似

 DIODE 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, Rectifier Diode
BYC10B-600,118 NXP

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 BYC10B-600

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYC10B-600,118 NXP

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 		BYC10B-600
BYC10B-600/T3 NXP

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 		DIODE 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, Rectifier Diode
BYC10D-600 NXP

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 		600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2
BYC10D-600 WEEN

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 		Hyperfast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.
BYC10D-600,127 NXP

获取价格

 		BYC10D-600
BYC10DX-600 WEEN

获取价格

 		Hyperfast power diode
BYC10G-600-TA2-T UTC

获取价格

 		ULTRAFAST, LOW SWITCHING LOSS RECTIFIER DIODE
BYC10G-6-TA2-T UTC

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 		ULTRAFAST, LOW SWITCHING LOSS RECTIFIER DIODE
BYC10G-6-TA3-T UTC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
BYC10G-6-TF3-T UTC

获取价格

 		ULTRAFAST, LOW SWITCHING LOSS RECTIFIER DIODE

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