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BYC10X-600P PDF预览

BYC10X-600P

更新时间： 2024-09-25 17:01:07
品牌 Logo 应用领域
瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
10页 382K
描述
Hyperfast power diode in a SOD113A (2-lead TO-220-F) plastic package.

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BYC10X-600P 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPER FAST RECOVERY POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：3.2 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：165 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT参考标准：IEC-60134
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.018 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYC10X-600P 数据手册

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BYC10X-600P  
Hyperfast power diode  
Rev.02 - 28 October 2021  
Product data sheet  
1. General description  
Hyperfast power diode in a 2-lead TO220F plastic package.  
2. Features and benefits  
•
Fast switching  
•
•
•
•
•
Isolated plastic package  
Low leakage current  
Low reverse recovery current  
Low thermal resistance  
Reduces switching losses in associated MOSFET or IGBT  
3. Applications  
•
•
•
Active PFC in air conditioner  
High frequency switched-mode power supplies  
Continuous Current Mode (CCM) Power Factor Correction (PFC)  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Values  
Unit  
Absolute maximum rating  
VRRM  
IF(AV)  
IFRM  
repetitive peak reverse  
voltage  
600  
10  
V
A
A
A
average forward current δ = 0.5 ; square-wave pulse; Th ≤ 61 °C;  
Fig. 1; Fig. 2  
repetitive peak forward δ = 0.5 ; tp = 25 μs; Th ≤ 61 °C;  
current  
20  
square-wave pulse  
IFSM  
non-repetitive peak  
forward current  
tp = 10 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave pulse;  
Fig. 4  
150  
165  
tp = 8.3 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave pulse  
A
Symbol Parameter  
Static characteristics  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VF  
forward voltage  
IF = 10 A; Tj = 25 °C; Fig. 4  
IF = 10 A; Tj = 150 °C; Fig. 4  
-
-
2.5  
1.3  
3.2  
V
V
2
Dynamic characteristics  
trr reverse recovery time  
IF = 1 A; VR = 30 V; dIF/dt = 200 A/μs;  
Tj = 25 °C; Fig. 5  
-
-
12  
19  
18  
ns  
ns  
IF = 10 A; VR = 400 V; dIF/dt = 500 A/μs;  
Tj = 25 °C; Fig. 5  
-
1234567...10

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与BYC10X-600P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYC10X-600P,127 NXP

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC
BYC12M-650P WEEN

获取价格

 		Hyperfast power diode in a 2-lead TO220 plastic package.
BYC12MD-650P WEEN

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 		Hyperfast power diode in a TO252 (DPAK) plastic package.
BYC12MX-650P WEEN

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 		Hyperfast power diode in a 2-lead TO220F plastic package.
BYC15 UTC

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 		RECTIFIER DIODE, HYPERFAST
BYC15-1200P WEEN

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 		Hyperfast power diode
BYC15-600 UTC

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 		RECTIFIER DIODE, HYPERFAST
BYC15-600 NXP

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 		Rectifier diode, hyperfast
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 		Hyperfast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package
BYC15-600,127 NXP

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 		BYC15-600

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