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BYC15-1200P

更新时间： 2024-09-18 01:26:31

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瑞能 - WEEN		局域网功效二极管
页数	文件大小	规格书
11页	348K
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Hyperfast power diode

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BYC15-1200P 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	3.2 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向电流：	100 µA	最大反向恢复时间：	0.061 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYC15-1200P 数据手册

BYC15-1200P

Hyperfast power diode

Rev.03 - 27 August 2018

Product data sheet

1. General description

EEPP^TM- Eﬃciency Enhanced Pt Planar rectiﬁer in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.

2. Features and beneﬁts

•

Fast switching

•

Reduces switching losses with improved lower reverse recovery charge

Soft recovery characteristics

Low thermal resistance

Low leakage current

Planar termination structure

High operating temperature capability (T_{j (max)}= 175°C)

Higher I_FSMcapability

3. Applications

•

Switched-Mode Power Supplies

Power factor correction diode

Uninterrupted Power Supply

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

V_RRM

I_F(AV)

I_FRM

repetitive peak reverse

voltage

1200

average forward current δ = 0.5 ; square-wave pulse; T_mb≤ 120 °C;

Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

repetitive peak forward δ = 0.5 ; t_p= 25 μs; T_mb≤ 120 °C;

current

square-wave pulse

I_FSM

non-repetitive peak

forward current

t_p= 10 ms; T_j(init)= 25 °C; sine-wave pulse;

Fig. 4

180

200

t_p= 8.3 ms; T_j(init)= 25 °C; sine-wave pulse;

Symbol Parameter

Static characteristics

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_F

forward voltage

I_F= 15 A; T_j= 25 °C; Fig. 6

I_F= 15 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

2.5

2.0

3.2

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery time

I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 100 A/μs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

Avalanche energy

E_AS

non-repetitive

avalanche energy

T_j(init)= 25 °C

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BYC15-600	WEEN	获取价格	Hyperfast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package
BYC15-600,127	NXP	获取价格	BYC15-600
BYC15-600P	NXP	获取价格	BYC15-600P
BYC15-600P	WEEN	获取价格	Hyperfast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.
BYC15-600P,127	NXP	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC
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