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BYC15-1200P

更新时间： 2024-11-10 01:26:31
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瑞能 - WEEN 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
11页 348K
描述
Hyperfast power diode

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BYC15-1200P 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：3.2 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
参考标准：IEC-60134最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：100 µA最大反向恢复时间：0.061 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYC15-1200P 数据手册

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BYC15-1200P  
Hyperfast power diode  
Rev.03 - 27 August 2018  
Product data sheet  
1. General description  
EEPPTM- Efficiency Enhanced Pt Planar rectifier in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.  
2. Features and benefits  
•
Fast switching  
•
•
•
•
•
•
•
Reduces switching losses with improved lower reverse recovery charge  
Soft recovery characteristics  
Low thermal resistance  
Low leakage current  
Planar termination structure  
High operating temperature capability (Tj (max) = 175°C)  
Higher IFSM capability  
3. Applications  
•
•
•
Switched-Mode Power Supplies  
Power factor correction diode  
Uninterrupted Power Supply  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Values  
Unit  
Absolute maximum rating  
VRRM  
IF(AV)  
IFRM  
repetitive peak reverse  
voltage  
1200  
15  
V
A
A
A
average forward current δ = 0.5 ; square-wave pulse; Tmb ≤ 120 °C;  
Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3  
repetitive peak forward δ = 0.5 ; tp = 25 μs; Tmb ≤ 120 °C;  
current  
30  
square-wave pulse  
IFSM  
non-repetitive peak  
forward current  
tp = 10 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave pulse;  
Fig. 4  
180  
200  
tp = 8.3 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave pulse;  
A
Symbol Parameter  
Static characteristics  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VF  
forward voltage  
IF = 15 A; Tj = 25 °C; Fig. 6  
IF = 15 A; Tj = 150 °C; Fig. 6  
-
-
2.5  
2.0  
3.2  
V
V
-
Dynamic characteristics  
trr  
reverse recovery time  
IF = 1 A; VR = 30 V; dIF/dt = 100 A/μs;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
45  
-
-
ns  
Avalanche energy  
EAS  
non-repetitive  
avalanche energy  
Tj(init) = 25 °C  
20  
-
mJ  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYC15-600 UTC

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 		RECTIFIER DIODE, HYPERFAST
BYC15-600 NXP

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 		Rectifier diode, hyperfast
BYC15-600 WEEN

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 		Hyperfast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package
BYC15-600,127 NXP

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 		BYC15-600
BYC15-600P NXP

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 		BYC15-600P
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 		Hyperfast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.
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