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BYC10DX-600

更新时间： 2024-09-18 01:26:31
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12页 366K
描述
Hyperfast power diode

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BYC10DX-600 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
应用：HYPER FAST RECOVERY POWER最小击穿电压：500 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.5 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：71 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：200 µA最大反向恢复时间：0.03 µs
反向测试电压：600 V表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYC10DX-600 数据手册

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BYC10DX-600  
Hyperfast power diode  
Rev.02 - 26 September 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Hyperfast power diode in a SOD113 (2-lead TO-220F) plastic package.  
2. Features and benefits  
•
Isolated plastic package  
•
•
•
Low thermal resistance  
Low reverse recovery current  
Reduces switching losses in associated MOSFET  
3. Applications  
•
•
•
Continuous Current Mode (CCM) Power Factor Correction (PFC)  
Half-bridge/full-bridge switched-mode power supplies  
Half-bridge lighting ballasts  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Values  
Unit  
Absolute maximum rating  
VRRM  
IF(AV)  
IFRM  
repetitive peak reverse  
voltage  
600  
10  
20  
65  
71  
V
A
A
A
average forward current δ = 0.5 ; square-wave pulse; Th ≤ 41 °C;  
Fig. 1; Fig. 2  
repetitive peak forward δ = 0.5 ; tp = 25 μs; Th ≤ 41 °C;  
current  
square-wave pulse  
IFSM  
non-repetitive peak  
forward current  
tp = 10 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave pulse;  
Fig. 3  
tp = 8.3 ms; Tj(init) = 25 °C; sine-wave pulse  
A
Symbol Parameter  
Static characteristics  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VF  
forward voltage  
IF = 10 A; Tj = 25 °C; Fig. 5  
IF = 10 A; Tj = 150 °C; Fig. 5  
IF = 20 A; Tj = 150 °C; Fig. 5  
-
-
-
2
2.5  
1.8  
2.2  
V
V
V
1.4  
1.7  
Dynamic characteristics  
trr reverse recovery time  
IF = 10 A; VR = 400 V; dIF/dt = 500 A/μs;  
Tj = 25 °C; Fig. 6  
-
18  
-
ns  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYC10G-600-TA2-T UTC

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 		ULTRAFAST, LOW SWITCHING LOSS RECTIFIER DIODE
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
BYC10G-6-TF3-T UTC

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BYC10M-650P WEEN

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 		Hyperfast power diode in a 2-lead TO220 plastic package.
BYC10MB-650P WEEN

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