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BYC10-600P,127

更新时间： 2024-09-17 19:10:03

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恩智浦 - NXP		快速恢复能力电源超快速恢复二极管局域网超快速恢复能力电源
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9页	180K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC

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BYC10-600P,127 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	HYPER FAST RECOVERY POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	3.2 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	165 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	10 µA	最大反向恢复时间：	0.018 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYC10-600P,127 数据手册

BYC10-600P

Hyperfast power diode

10 February 2014

Product data sheet

1. General description

Hyperfast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.

2. Features and benefits

Fast switching

Low leakage current

Low reverse recovery current

Low thermal resistance

Reduces switching losses in associated MOSFET or IGBT

•

3. Applications

Active PFC in air conditioner

High frequency switched-mode power supplies

Continuous Current Mode (CCM) Power Factor Correction (PFC)

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

600

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5; T_mb≤ 127 °C; square-wave

pulse; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 10 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

1.3

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery time I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 200 A/µs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

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