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BYC10-600CT PDF预览

BYC10-600CT

更新时间： 2024-11-05 22:09:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管开关局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 63K
描述
Rectifier diode ultrafast, low switching loss

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BYC10-600CT 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅：不含铅
是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.8 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：44 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYC10-600CT 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diode  
ultrafast, low switching loss  
BYC10-600CT  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 600 V  
• Dual diode  
• Extremely fast switching  
• Low reverse recovery current  
• Low thermal resistance  
• Reduces switching losses in  
associated MOSFET  
VF ≤ 1.75 V  
a1  
1
a2  
3
IO(AV) = 10 A  
trr = 19 ns (typ)  
k
2
APPLICATIONS  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
• Active power factor correction  
• Half-bridge lighting ballasts  
• Half-bridge/ full-bridge switched  
mode power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
tab  
1
2
The BYC10-600CT is supplied in  
the SOT78 (TO220AB)  
conventional leaded package.  
3
anode 2  
cathode  
tab  
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
-
-
-
-
600  
600  
500  
10  
V
V
V
A
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
Average output current (both  
diodes conducting)  
T
mb ≤ 110 ˚C  
δ = 0.5; with reapplied VRRM(max)  
mb ≤ 50 ˚C1  
IO(AV)  
;
;
T
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward current δ = 0.5; with reapplied VRRM(max)  
-
10  
A
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
T
mb ≤ 50 ˚C1  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 150˚C prior to surge  
with reapplied VRWM(max)  
-
-
40  
44  
A
A
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to per diode  
-
-
-
-
-
60  
2.5  
2.2  
-
K/W  
K/W  
K/W  
mounting base  
both diodes  
Thermal resistance junction to in free air.  
ambient  
1 Tmb(max) limited by thermal runaway  
October 1999  
1
Rev 1.000  
123456

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BYC10-600CT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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BYC10B-600 NXP

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 		Rectifier diode ultrafast, low switching loss
BYC10B-600 WEEN

获取价格

 		Hyperfast power diode in a SOT404 (D2PAK) surface-mountable plastic package.
BYC10B-600,118 NXP

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 		BYC10B-600
BYC10B-600/T3 NXP

获取价格

 		DIODE 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, Rectifier Diode
BYC10D-600 NXP

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 		600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2
BYC10D-600 WEEN

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