BUT90

更新时间： 2024-02-29 20:43:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
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描述
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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BUT90 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	125 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON

BUT90 数据手册

BUT90

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

NPN TRANSISTOR

HIGH CURRENT CAPABILITY

FAST SWITCHING SPEED

HIGH RUGGEDNESS

LOW COLLECTOR EMITTER SATURATION

APPLICATIONS

■

UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY

MOTOR CONTROL

LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL

EQUIPMENT

TO-3

(version "S")

DESCRIPTION

The BUT90 is a Multiepitaxial Planar NPN

Transistor in TO-3 package. It is intended for use

in high frequency and efficency converters,

switching regulators and motor control.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -1.5 V)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

200

Unit

125

I_CM

Collector Peak Current

120

I_B

Base Current

I_BM

Base Peak Current

P_tot

Total Power Dissipation at T_case≤ 25 C

250

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

Junction Temperature

-65 to 200

200

1/4

April 1997

12 3 4

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