BUT90

更新时间： 2024-11-14 22:39:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
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4页	69K
描述
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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BUT90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-204AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	125 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	250 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1900 ns
VCEsat-Max：	0.9 V	Base Number Matches：	1

BUT90 数据手册

BUT90

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

NPN TRANSISTOR

HIGH CURRENT CAPABILITY

FAST SWITCHING SPEED

HIGH RUGGEDNESS

LOW COLLECTOR EMITTER SATURATION

APPLICATIONS

■

UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY

MOTOR CONTROL

LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL

EQUIPMENT

TO-3

(version "S")

DESCRIPTION

The BUT90 is a Multiepitaxial Planar NPN

Transistor in TO-3 package. It is intended for use

in high frequency and efficency converters,

switching regulators and motor control.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -1.5 V)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

200

Unit

125

I_CM

Collector Peak Current

120

I_B

Base Current

I_BM

Base Peak Current

P_tot

Total Power Dissipation at T_case≤ 25 C

250

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

Junction Temperature

-65 to 200

200

1/4

April 1997

12 3 4

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