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BUT12AI,127 PDF预览

BUT12AI,127

更新时间： 2024-11-14 14:37:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 55K
描述
BUT12AI

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BUT12AI,127 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：450 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：14JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：110 W最大功率耗散 (Abs)：110 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：4800 ns
最大开启时间（吨）：1000 nsVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

BUT12AI,127 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUT12AI  
GENERAL DESCRIPTION  
Improved high-voltage, high-speed glass-passivated npn power transistor in a TO220AB envelope specially suited  
for use in overhead/high frequency lighting ballast applications and converters, inverters, switching regulators,  
motor control systems, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
-
1000  
450  
8
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Inductive fall time  
-
20  
A
Ptot  
T
hs ≤ 25 ˚C  
-
110  
1.5  
-
W
V
VCEsat  
ICsat  
tf  
IC = 5 A; IB = 0.86A  
-
5
A
ICon = 5 A; IBon = 1.0 A;Tj ≤ 100˚C  
300  
ns  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
tab  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
tab collector  
e
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1000  
450  
8
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
IB  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
20  
A
-
4
6
110  
150  
150  
A
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Base current peak value  
Total power dissipation  
Storage temperature  
-
-
A
Ths ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Junction to heatsink  
Junction to ambient  
with heatsink compound  
in free air  
-
-
1.15  
60  
K/W  
K/W  
June 1997  
1
Rev 1.000  
1234567

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BUT12AI,127 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUT12AI NXP

类似代替

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