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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 70 A | 集电极-发射极最大电压： | 125 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 16 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUT90 | SEME-LAB |
功能相似  |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BUS50 | MOTOROLA |
功能相似 |
70 AMPERES NPN SILICON POWER TRANSISTOR 125 VOLTS (BVCEO) 350 WATTS 200 V (BVCES) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUR50_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| BUR50S | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
|
| BUR51 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| BUR51 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| BUR51S | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| BUR52 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON |
|
| BUR52 | COMSET |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS |
|
| BUR52 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| BUR52 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 250V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BUR52_12 | COMSET |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS |
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