是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.14 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 60 A | 集电极-发射极最大电压: | 250 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 15 |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 16 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUR51S | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BUR52 | SEME-LAB |
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HIGH CURRENT NPN SILICON | |
BUR52 | COMSET |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS | |
BUR52 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR | |
BUR52 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 250V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
BUR52_12 | COMSET |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS | |
BUR52S | SEME-LAB |
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HIGH CURRENT NPN SILICON | |
BUR53D | SUNLED |
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T-1 3/4 (5mm) BLINKING LED LAMP | |
BURLE2060 | ETC |
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38-mm (1 1/2-inch) 10 stage, End-Window Photomultiplier | |
BURLE-2060 | ETC |
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38-mm (1 1/2-inch) 10 stage, End-Window Photomultiplier |