是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.15 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 70 A |
集电极-发射极最大电压: | 125 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 15 | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 16 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUR51 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BUR51 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR | |
BUR51S | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BUR52 | SEME-LAB |
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HIGH CURRENT NPN SILICON | |
BUR52 | COMSET |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS | |
BUR52 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR | |
BUR52 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 250V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
BUR52_12 | COMSET |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS | |
BUR52S | SEME-LAB |
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HIGH CURRENT NPN SILICON | |
BUR53D | SUNLED |
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T-1 3/4 (5mm) BLINKING LED LAMP |