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BUK9215-55A,118

更新时间： 2024-10-01 14:48:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	265K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin

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BUK9215-55A,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DPAK	包装说明：	PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.18	雪崩能效等级（Eas）：	211 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	62 A
最大漏极电流 (ID)：	55 A	最大漏源导通电阻：	0.0166 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	115 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9215-55A,118 数据手册

BUK9215-55A

N-channel TrenchMOS logic level FET

7 April 2014

Product data sheet

1. General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

2. Features and benefits

AEC Q101 compliant

Low conduction losses due to low on-state resistance

Suitable for logic level gate drive sources

•

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

3. Applications

12 V and 24 V loads

Automotive and general purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C; Fig. 2; Fig. 3

[1]

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 1

115

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C

13.6

16.6

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

Fig. 11; Fig. 12

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 44 V;

T_j= 25 °C; Fig. 9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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BUK9217-75B	NXP	获取价格	TRANSISTOR 64 A, 75 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP
BUK9219-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9219-55A,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin
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