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BUK763R9-60E

更新时间： 2024-11-24 11:11:31
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 715K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction

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BUK763R9-60E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.38其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：372 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0039 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：706 A
参考标准：AEC-Q101; IEC-60134表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK763R9-60E 数据手册

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BUK763R9-60E  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
28 July 2016  
Product data sheet  
1. General description  
Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology.  
This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high  
performance automotive applications.  
2. Features and benefits  
AEC Q101 compliant  
Repetitive avalanche rated  
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating  
True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1V at 175 °C  
•
•
•
•
3. Applications  
12 V Automotive systems  
•
•
•
•
•
Motors, lamps and solenoid control  
Start-Stop micro-hybrid applications  
Transmission control  
Ultra high performance power switching  
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
60  
Unit  
V
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C; Fig. 2  
-
-
-
-
-
-
[1]  
100  
263  
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 1  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 11  
-
-
2.94  
33  
3.9  
-
mΩ  
nC  
ID = 25 A; VDS = 48 V; VGS = 10 V;  
Fig. 13; Fig. 14  
[1] Continuous current is limited by package.  
 
 
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK7640-100A NXP

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 		TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK764R0-40E NXP

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 		75A, 40V, 0.004ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
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