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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.39 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 302 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 620 A |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK764R0-55B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
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| BUK764R0-55B | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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| BUK764R0-55B,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK764R0-75C | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK764R2-80E | NXP |
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120A, 80V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2 |
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| BUK764R2-80E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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| BUK764R3-40B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
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| BUK764R3-40B,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK764R4-60E | NXP |
获取价格 |
100A, 60V, 0.0045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2 |
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| BUK764R4-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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