5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BUK764R0-40E
BUK764R0-40E PDF预览

BUK764R0-40E

更新时间： 2024-11-26 21:10:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 207K
描述
75A, 40V, 0.004ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

BUK764R0-40E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, D2PAK-3/2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：302 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：620 A
参考标准：AEC-Q101; IEC-60134表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK764R0-40E 数据手册

 浏览型号BUK764R0-40E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUK764R0-40E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUK764R0-40E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUK764R0-40E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUK764R0-40E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BUK764R0-40E的Datasheet PDF文件第7页 
BUK764R0-40E  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
13 July 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology.  
This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high  
performance automotive applications.  
1.2 Features and benefits  
AEC Q101 compliant  
Repetitive avalanche rated  
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating  
True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1V at 175 °C  
•
•
•
•
1.3 Applications  
12 V Automotive systems  
•
•
•
•
•
Motors, lamps and solenoid control  
Start-Stop micro-hybrid applications  
Transmission control  
Ultra high performance power switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
40  
Unit  
V
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C; Fig. 1  
-
-
-
-
-
-
[1]  
75  
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 2  
182  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 11  
-
-
3.3  
4
-
mΩ  
nC  
VGS = 10 V; ID = 25 A; VDS = 32 V;  
Fig. 13; Fig. 14  
15.5  
[1] Continuous current is limited by package.  
Scan or click this QR code to view the latest information for this product  
 
 
 
 
 
 
1234567...13

中文翻译

下载PDF

与BUK764R0-40E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK764R0-55B NXP

获取价格

 		TrenchMOS standard level FET
BUK764R0-55B NEXPERIA

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FETProduction
BUK764R0-55B,118 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK764R0-75C NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK764R2-80E NXP

获取价格

 		120A, 80V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
BUK764R2-80E NEXPERIA

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FETProduction
BUK764R3-40B NXP

获取价格

 		TrenchMOS standard level FET
BUK764R3-40B,118 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK764R4-60E NXP

获取价格

 		100A, 60V, 0.0045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
BUK764R4-60E NEXPERIA

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FETProduction

与BUK764R0-40E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证