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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK436W-800B,127 | NXP |
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3.5A, 800V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| BUK436W-800B127 | NXP |
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TRANSISTOR 3.5 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpose |
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| BUK437-400A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK437-400B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK437-450B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK437-500A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK437-500B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK437-600A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK437-600B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK438-1000A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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