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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | 其他特性： | BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUD42DG | ROCHESTER |
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暂无描述 |
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| BUD42DG | ONSEMI |
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High Speed, High Gain NPN Bipolar Power Transistor |
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| BUD42DT4 | ROCHESTER |
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4A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| BUD42DT4 | ONSEMI |
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High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Vol |
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| BUD42DT4G | ONSEMI |
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High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor |
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| BUD43B | MOTOROLA |
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POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS |
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| BUD43B | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS |
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| BUD43B/D | ETC |
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SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor |
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| BUD43B1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251 |
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| BUD43B-1 | MOTOROLA |
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2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN |
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