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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BUD42DT4G
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BUD42DT4G

更新时间： 2024-11-19 09:02:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
12页 177K
描述
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor

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BUD42DT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.14
其他特性：BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUD42DT4G 数据手册

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BUD42D  
High Speed, High Gain  
Bipolar NPN Transistor with  
Antisaturation Network and  
Transient Voltage  
http://onsemi.com  
Suppression Capability  
4 AMPERES  
650 VOLTS, 25 WATTS  
POWER TRANSISTOR  
The BUD42D is a state−of−the−art bipolar transistor. Tight dynamic  
characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable  
for light ballast applications.  
Features  
• Free−Wheeling Diode Built−In  
• Flat DC Current Gain  
• Fast Switching Times and Tight Distribution  
• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter  
Spreads  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings:  
Machine Model, C; >400 V  
Human Body Model, 3B; >8000 V  
4
Collector  
• These are Pb−Free Packages  
4
Two Versions  
2
3
1
• BUD42D−1: Case 369D for Insertion Mode  
• BUD42D, BUD42DT4: Case 369C for Surface Mount Mode  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
2
1
3
Collector  
Base  
Emmitter  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
350  
650  
650  
9
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
4
Collector−Emitter Sustaining Voltage  
Collector−Base Breakdown Voltage  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
4
Collector  
V
CES  
EBO  
V
1
2
3
Collector Current − Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
C
4.0  
8.0  
I
I
CM  
DPAK  
CASE 369D  
STYLE 1  
Base Current − Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
B
1.0  
2.0  
Adc  
1
2
3
BM  
Base Collector Emmitter  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
25  
0.2  
W
W/_C  
_C  
C
D
Derate above 25_C  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
J
−65 to  
+150  
stg  
WW  
= Work Week  
BUD43D = Device Code  
= Pb−Free Package  
TYPICAL GAIN  
G
Typical Gain @ I = 1 A, V = 2 V  
h
h
13  
16  
−
−
C
CE  
FE  
FE  
Typical Gain @ I = 0.3 A, V = 1 V  
C
CE  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 10 of this data sheet.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%10  
1
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
Publication Order Number:  
January, 2011 − Rev. 5  
BUD42D/D  
 
1234567...12

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BUD42DT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUD42D-1G ONSEMI

完全替代

 High Speed, High Gain NPN Bipolar Power Transistor
BUD42DT4 ONSEMI

完全替代

 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Vol
BUD42D ONSEMI

完全替代

 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Vol

与BUD42DT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUD43B MOTOROLA

获取价格

 		POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS
BUD43B ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS
BUD43B/D ETC

获取价格

 		SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor
BUD43B1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251
BUD43B-1 MOTOROLA

获取价格

 		2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN
BUD43B-1 ONSEMI

获取价格

 		2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, DPAK-3
BUD43BK ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
BUD43BT4 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BUD43BW ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252AA
BUD43D2 ONSEMI

获取价格

 		Bipolar NPN Transistor

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