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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 6 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 13 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 5800 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUD43B/D | ETC |
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SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor |
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| BUD43B1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251 |
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| BUD43B-1 | MOTOROLA |
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2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN |
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| BUD43B-1 | ONSEMI |
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2A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, DPAK-3 |
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| BUD43BK | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
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| BUD43BT4 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BUD43BW | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252AA |
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| BUD43D2 | ONSEMI |
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Bipolar NPN Transistor |
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| BUD43D2/D | ETC |
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Bipolar NPN Transistor |
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| BUD43D2-1 | ONSEMI |
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Bipolar NPN Transistor |
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