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BUD44D2

更新时间： 2024-11-29 22:17:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 541K
描述
POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS

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BUD44D2 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.45Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A基于收集器的最大容量：75 pF
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：25 W最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：13 MHz最大关闭时间（toff）：1250 ns
最大开启时间（吨）：150 nsVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BUD44D2 数据手册

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by BUD44D2/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
POWER TRANSISTORS  
2 AMPERES  
700 VOLTS  
25 WATTS  
The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).  
High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time)  
make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to  
guarantee an h  
window.  
FE  
Main features:  
•
•
•
Low Base Drive Requirement  
High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ I = 100 mA  
Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the  
H2BIP Structure which Minimizes the Spread  
C
•
•
•
Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode  
CASE 369–07  
Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V  
CE(sat)  
“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads  
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
400  
700  
700  
12  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CASE 369A–13  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
CEO  
CBO  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
V
V
CES  
EBO  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
2
5
I
CM  
6.7  
0.265  
Base Current — Continuous  
Base Current — Peak (1)  
I
1
2
Adc  
B
I
BM  
*Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
*Derate above 25°C  
P
D
25  
0.2  
Watt  
W/ C  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
–65 to 150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
1.6  
1.6  
0.063  
0.063  
Thermal Resistance  
— Junction to Case  
— Junction to Ambient  
C/W  
2.3  
2.3  
R
θJC  
R
θJA  
5
71.4  
0.090 0.090  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds  
T
L
260  
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.  
Motorola, Inc. 1995
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUD44D2/D ETC

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 		High Speed， High Gain Bipolar NPN Power Trans
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