BUD44D2

更新时间： 2024-09-12 22:17:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管开关
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描述
POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS

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BUD44D2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	75 pF
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	25 W	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13 MHz	最大关闭时间（toff）：	1250 ns
最大开启时间（吨）：	150 ns	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BUD44D2 数据手册

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by BUD44D2/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

POWER TRANSISTORS

2 AMPERES

700 VOLTS

25 WATTS

The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).

High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time)

make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to

guarantee an h

window.

Main features:

•

Low Base Drive Requirement

High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ I = 100 mA

Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the

H2BIP Structure which Minimizes the Spread

•

Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode

CASE 369–07

Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V

CE(sat)

“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads

It’s characteristics make it also suitable for PFC application.

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

400

700

Unit

Vdc

Adc

CASE 369A–13

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

MINIMUM PAD SIZES

RECOMMENDED FOR

SURFACE MOUNTED

APPLICATIONS

CES

EBO

Collector Current — Continuous

— Peak (1)

6.7

0.265

Base Current — Continuous

Base Current — Peak (1)

Adc

*Total Device Dissipation @ T = 25 C

*Derate above 25°C

0.2

Watt

W/ C

Operating and Storage Temperature

T , T

–65 to 150

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

1.6

0.063

Thermal Resistance

— Junction to Case

— Junction to Ambient

C/W

2.3

θJC

θJA

71.4

0.090 0.090

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds

260

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.

Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.

This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6 7...10

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与BUD44D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUD44D2/D	ETC	获取价格	High Speed， High Gain Bipolar NPN Power Trans
BUD44D2-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-251
BUD44D2K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-251AA
BUD44D2T4	MOTOROLA	获取价格	2A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
BUD44D2W	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-252AA
BUD505	ETC	获取价格	Analog IC
BUD505B	ETC	获取价格	Analog IC
BUD505I	ETC	获取价格	Analog IC
BUD505-I	BEL	获取价格	DC-DC Unregulated Power Supply Module, 2 Output, 3W, DIP-12
BUD505S	BEL	获取价格	DC-DC Unregulated Power Supply Module, 2 Output, Hybrid

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