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BUD600-SMD

更新时间： 2024-11-19 21:54:39

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	169K
描述
Silicon NPN Hugh Voltage Switching Transistor

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BUD600-SMD 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

BUD600-SMD 数据手册

BUD600

Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

Features

Simple-sWitch-Off Transistor (SWOT)

HIGH SPEED technology

Planar passivation

Very low dynamic saturation

Very low operating temperature

Optimized RBSOA

100 kHz switching rate

High reverse voltage

Very low switching losses

Applications

Electronic lamp ballast circuits

Switch-mode power supplies

94 8965

94 8964

BUD600

1 Base 2 Collector 3 Emitter

BUD600 –SMD

1 Base 2 Collector 3 Emitter

Absolute Maximum Ratings

case

= 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Collector-emitter voltage

Test Conditions

Symbol

Value

250

Unit

CEO

CEW

300

600

CES

EBO

Emitter-base voltage

Collector current

Collector peak current

Base current

0.75

Base peak current

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

case

≤ 60 C

tot

–65 to +150

stg

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (9)

Rev. B2, 18-Jul-97

12 3 4 5 6 7...9

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与BUD600-SMD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUD616A	VISHAY	获取价格	Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
BUD616A-SMD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 1.6A I(C) \| TO-252AA
BUD620	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-251
BUD620SMD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-251
BUD630	TEMIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic
BUD630	VISHAY	获取价格	Transistor,
BUD630SMD	VISHAY	获取价格	Transistor,
BUD630-SMD	TEMIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic
BUD636A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-251
BUD636A-SMD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-252