BU2720AX

更新时间： 2024-01-03 23:26:13

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	105K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU2720AX 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU2720AX

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_(BR)EBO

PARAMETER

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector Cutoff Current

CONDITIONS

I_C= 100mA; I_B= 0, L= 25mH

I_E= 1mA; I_C= 0

MIN

825

7.5

TYP. MAX UNIT

I_C= 5.5A; I_B= 1.38A

1.0

V_CE

(sat)

V_BE

(sat)

V_CE= 1500V; V_BE= 0

V_CE= 1500V; V_BE= 0; T_C=125℃

1.0

2.0

I_CES

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

Emitter Cutoff Current

V_EB= 7.5V; I_C= 0

I_C= 0.1A; V_CE= 5V

I_C= 5.5A; V_CE= 1V

1.0

7.5

DC Current Gain

Switching times

I_C= 5.5A, L_C= 750μH;

Storage Time

8.5

0.9

μs

t_stg

C_fb= 15.5 nF; V_CC= 125 V;

I_{B( )}= 1.2A; L_B= 6μH; -V_BB= 4V;

end

Fall Time

t_f

-I_BM= I_CM/2

isc Website：www.iscsemi.cn

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