Datasheet > BTA412Y-600C

BTA412Y-600C

更新时间： 2024-11-15 17:00:55

品牌	Logo	应用领域
瑞能 - WEEN		/
页数	文件大小	规格书
13页	515K
描述
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a IITO220 ?internally insulated plastic

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BTA412Y-600C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	12 A	参考标准：	IEC-60134
断态重复峰值电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

BTA412Y-600C 数据手册

BTA412Y-600C

3Q Hi-Com Triac

Rev.03 - 05 July 2021

Product data sheet

1. General description

Planar passivated high commutation three quadrant triac in an IITO220 internally insulated plastic

package intended for use in circuits where high static and dynamic dV/dt and high dI/dt can occur. This

"series C" triac will commutate the full RMS current at the maximum rated junction temperature without

the aid of a snubber. This device has high T_joperating capability and an internally isolated mounting

base.

2. Features and beneﬁts

• 3Q technology for improved noise immunity

• High commutation capability with maximum false trigger immunity

• High immunity to false turn-on by dV/dt

• High surge capability

• High T_j(max)

• Isolated mounting base with 2500 V (RMS) isolation

• Less sensitive gate for high noise immunity

• Planar passivated for voltage ruggedness and reliability

• Triggering in three quadrants only

3. Applications

• Electronic thermostats (heating and cooling)

• High power motor controls

• Rectiﬁer-fed DC inductive loads e.g. DC motors and solenoids

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

repetitive peak oﬀ-state

voltage

600

RMS on-state current

full sine wave; T_mb≤ 116°C;

Fig.1; Fig. 2; Fig. 3

non-repetitive peak on- full sine wave; T_j(init)= 25 °C; t_p=20ms;

140

state current

Fig. 4; Fig. 5

full sine wave; T_j(init)= 25 °C; t_p=16.7ms

153

150

T_j

junction temperature

°C

Static characteristics

I_GTgate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2+ G+;

T_j= 25 °C; Fig. 7

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与BTA412Y-600C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BTA412Y-600C,127	NXP	获取价格	BTA412Y-600C
BTA412Y-600ET	WEEN	获取价格	3Q Hi-Com Triac
BTA412Y-800B	NXP	获取价格	12 A Three-quadrant triacs, insulated, high commutation, high temperature
BTA412Y-800B	WEEN	获取价格	Planar passivated high commutation three quadrant triac in an IITO220 internally insulated
BTA412Y-800B,127	NXP	获取价格	BTA412Y-800B
BTA412Y-800C	NXP	获取价格	12 A Three-quadrant triacs, insulated, high commutation, high temperature
BTA412Y-800C	WEEN	获取价格	Planar passivated high commutation three quadrant triac in a IITO-220 internally insulated
BTA412Y-800C,127	NXP	获取价格	暂无描述
BTA412Y-800ET	WEEN	获取价格	3Q Hi-Com Triac
BTA41-400	STMICROELECTRONICS	获取价格	STANDARD TRIACS

与BTA412Y-600C相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

14
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BTA412Y-600C

BTA412Y-600C 技术参数

BTA412Y-600C 数据手册

与BTA412Y-600C相关器件

与BTA412Y-600C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BTA412Y-600C

BTA412Y-600C 技术参数

BTA412Y-600C 数据手册

与BTA412Y-600C相关器件

与BTA412Y-600C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？