BT151-500C

更新时间： 2024-02-25 15:49:08

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恩智浦 - NXP		/
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Thyristors

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BT151-500C 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.67	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	15 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12.5 A
断态重复峰值电压：	500 V	重复峰值反向电压：	500 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

BT151-500C 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Thyristors

BT151 series C

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

Passivated thyristors in a plastic

envelope, intended for use in

SYMBOL PARAMETER

MAX.

MAX. UNIT

800C

applications

requiring

high

BT151-

500C

500

650C

650

bidirectional blocking voltage

capability and high thermal cycling

performance. Typical applications

include motor control, industrial

and domestic lighting, heating and

static switching.

V_DRM

V_RRM

I_T(AV)

Repetitive peak off-state

800

voltages

Average on-state current

RMS on-state current

Non-repetitive peak on-state

current

7.5

100

7.5

100

7.5

I_T(RMS)

I_TSM

100

PINNING - TO220AB

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

cathode

tab

anode

gate

1 2 3

tab anode

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 60134).

SYMBO PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

-500C

-650C

-800C

800

V_DRM

V_RRM

Repetitive peak

off-state voltages

500¹

650¹

I_T(AV)

Average on-state

current

RMS on-state current

Non-repetitive peak

on-state current

half sine wave; T_mb≤ 109 ˚C

7.5

I_T(RMS)

I_TSM

all conduction angles

half sine wave; T_j= 25 ˚C

prior to surge

t = 10 ms

100

110

t = 8.3 ms

I²t

dI_T/dt

I²t for fusing

t = 10 ms

A²s

A/µs

Repetitive rate of rise of I_TM= 20 A; I_G= 50 mA;

on-state current after

triggering

Peak gate current

Peak gate voltage

Peak reverse gate

voltage

Peak gate power

Average gate power

Storage temperature

Operating junction

temperature

dI_G/dt = 50 mA/µs

I_GM

V_GM

V_RGM

P_GM

P_G(AV)

T_stg

T_j

˚C

over any 20 ms period

0.5

150

125

-40

1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may

switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.

April 2004

Rev 1.000

12 3 4 5 6

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BT151-500C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6404G	ONSEMI	功能相似	Silicon Controlled Rectifiers
TYN616RG	STMICROELECTRONICS	功能相似	16A SCRs
TYN612RG	STMICROELECTRONICS	功能相似	SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)

与BT151-500C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BT151-500C,127	NXP	获取价格	BT151-500C
BT151-500L	NXP	获取价格	SCR, 12 A, 5mA, 500 V, SOT78
BT151-500L	WEEN	获取价格	Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended f
BT151-500L,127	NXP	获取价格	BT151-500L
BT151-500R	COMSET	获取价格	THYRISTORS
BT151-500R	NXP	获取价格	Thyristors
BT151-500R	NJSEMI	获取价格	Thyristor SCR 500V 132A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BT151-500R	WEEN	获取价格	Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended f
BT151500R.127	NXP	获取价格	Planar passivated SCR (Silicon Controlled Rectifier) in a SOT78 plastic package.
BT151-500R/B	ETC	获取价格	THYRISTOR 12A 500V

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