5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> BT151-500C
BT151-500C PDF预览

BT151-500C

更新时间： 2024-11-24 12:52:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 43K
描述
Thyristors

阅读下载

中文翻译

获取价格

BT151-500C 数据手册

 浏览型号BT151-500C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BT151-500C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BT151-500C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BT151-500C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BT151-500C的Datasheet PDF文件第6页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
BT151 series C  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated thyristors in a plastic  
envelope, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX.  
MAX.  
MAX. UNIT  
800C  
applications  
requiring  
high  
BT151-  
500C  
500  
650C  
650  
bidirectional blocking voltage  
capability and high thermal cycling  
performance. Typical applications  
include motor control, industrial  
and domestic lighting, heating and  
static switching.  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak off-state  
800  
V
voltages  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
A
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
100  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
cathode  
tab  
a
k
2
anode  
gate  
3
g
1 2 3  
tab anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 60134).  
SYMBO PARAMETER  
L
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500C  
-650C  
-800C  
800  
VDRM  
VRRM  
,
Repetitive peak  
off-state voltages  
-
5001  
6501  
V
IT(AV)  
Average on-state  
current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
half sine wave; Tmb ≤ 109 ˚C  
-
-
7.5  
12  
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
all conduction angles  
half sine wave; Tj = 25 ˚C  
prior to surge  
t = 10 ms  
-
-
-
-
100  
110  
50  
A
A
t = 8.3 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
t = 10 ms  
A2s  
A/µs  
Repetitive rate of rise of ITM = 20 A; IG = 50 mA;  
50  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate  
voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
dIG/dt = 50 mA/µs  
IGM  
VGM  
VRGM  
-
-
-
2
5
5
A
V
V
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
-
5
W
W
˚C  
˚C  
over any 20 ms period  
0.5  
150  
125  
-40  
-
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
April 2004  
1
Rev 1.000  
123456

中文翻译

下载PDF

BT151-500C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6404G ONSEMI

功能相似

 Silicon Controlled Rectifiers
TYN616RG STMICROELECTRONICS

功能相似

 16A SCRs
TYN612RG STMICROELECTRONICS

功能相似

 SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)

与BT151-500C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT151-500C,127 NXP

获取价格

 		BT151-500C
BT151-500L NXP

获取价格

 		SCR, 12 A, 5mA, 500 V, SOT78
BT151-500L WEEN

获取价格

 		Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended f
BT151-500L,127 NXP

获取价格

 		BT151-500L
BT151-500R COMSET

获取价格

 		THYRISTORS
BT151-500R NXP

获取价格

 		Thyristors
BT151-500R NJSEMI

获取价格

 		Thyristor SCR 500V 132A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BT151-500R WEEN

获取价格

 		Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended f
BT151500R.127 NXP

获取价格

 		Planar passivated SCR (Silicon Controlled Rectifier) in a SOT78 plastic package.
BT151-500R/B ETC

获取价格

 		THYRISTOR 12A 500V

与BT151-500C相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证