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BT151-500R/B

更新时间： 2024-01-12 17:06:25
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6页 40K
描述
THYRISTOR 12A 500V

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BT151-500R/B 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.67其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：15 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12.5 A
断态重复峰值电压：500 V重复峰值反向电压：500 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

BT151-500R/B 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
BT151 series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated thyristors in a plastic  
envelope, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
applications  
bidirectional  
requiring  
blocking  
high  
BT151- 500R 650R 800R  
voltage  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak off-state  
500  
650  
800  
V
capability and high thermal cycling  
performance. Typical applications  
include motor control, industrial and  
domestic lighting, heating and static  
switching.  
voltages  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
100  
A
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
cathode  
tab  
a
k
2
anode  
gate  
3
g
1 2 3  
tab anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500R -650R -800R  
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
5001  
6501  
800  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
Average on-state current half sine wave; Tmb ≤ 109 ˚C  
-
-
7.5  
12  
A
A
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
all conduction angles  
half sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 10 ms  
-
-
-
-
100  
110  
50  
A
A
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
ITM = 20 A; IG = 50 mA;  
dIG/dt = 50 mA/µs  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
A2s  
A/µs  
50  
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
2
5
A
V
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
5
-
-
5
over any 20 ms period  
0.5  
150  
125  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
June 1999  
1
Rev 1.300  
123456

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与BT151-500R/B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT151-500RT NXP

获取价格

 		SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
BT151-500RT WEEN

获取价格

 		Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 (TO-220AB) plastic package
BT151-500RT,127 NXP

获取价格

 		BT151-500RT
BT151-600 ISC

获取价格

 		Thyristors
BT151-600 SEMIWELL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifiers
BT151-600 NJSEMI

获取价格

 		Thyristor SCR 650V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
BT151-650C NXP

获取价格

 		Thyristors
BT151-650C WEEN

获取价格

 		Passivated thyristors in a plastic envelope, intended for use in applications requiring hi
BT151-650L NXP

获取价格

 		SCR, 12 A, 5 mA, 650 V, SOT78
BT151-650L WEEN

获取价格

 		Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a SOT78 plastic package intended f

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