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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ESD PROTECTION, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.0015 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 11 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| BSD316SN | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor |
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| BSD3A031V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:3.3V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unid |
|
| BSD3A051V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir |
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| BSD3C031V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:3.3V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidi |
|
| BSD3C051V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidire |
|
| BSD5A051U | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir |
|
| BSD5A051V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir |
|
| BSD5A071V35 | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:8V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir |
|
| BSD5C031V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:3.3V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unid |
|
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