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BSD840NH6327

更新时间： 2024-10-14 21:10:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 179K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

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BSD840NH6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.29其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.88 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSD840NH6327 数据手册

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BSD840N  
OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
20  
V
• Dual N-channel  
R DS(on),max  
V GS=2.5 V  
V GS=1.8 V  
400  
560  
0.88  
mΩ  
• Enhancement mode  
• Ultra Logic level (1.8V rated)  
I D  
A
• Avalanche rated  
PG-SOT-363  
• Qualified according to AEC Q101  
• 100% lead-free; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
6
5
4
1
2
3
Type  
Package  
Tape and Reel Information  
Marking  
Lead Free  
Yes  
Packing  
BSD840N  
PG-SOT-363 H6327: 3000 pcs/ reel  
XBs  
Non dry  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Parameter 1)  
Value  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
Continuous drain current  
0.88  
0.71  
3.5  
A
I D,pulse  
Pulsed drain current  
E AS  
I D=0.88 A, R GS=16 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
1.6  
6
mJ  
I D=0.88 A, V DS=16 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
T
j,max=150 °C  
V GS  
Gate source voltage  
±8  
V
Power dissipation 2)  
P tot  
T A=25 °C  
0.5  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
ESD Class  
-55 ... 150  
0 (<250V)  
260 °C  
JESD22-A114 -HBM  
Soldering Temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
55/150/56  
1) Remark: only one of both transistors in operation.  
Rev 2.3  
page 1  
2011-07-14  
1234567...9

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与BSD840NH6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSD840NH6327XTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSDB-4000-1B DEC

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 		40 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BSDB-4000-2B DEC

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 		40 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BSDB-5000-1B DEC

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 		50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BSDB-5000-2B DEC

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 		50 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
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