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BSD314SPEH6327XTSA1

更新时间： 2024-10-14 14:41:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	354K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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BSD314SPEH6327XTSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.65	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSD314SPEH6327XTSA1 数据手册

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BSD314SPE

OptiMOS™-P 3 Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V_DS

• P-channel

R_DS(on),max

V_GS=-10 V

V_GS=-4.5 V

140

230

-1.5

• Enhancement mode

• Logic level (4.5V rated)

I_D

• ESD protected

PG-SOT-363

• Qualified according AEC Q101

• 100% Lead-free; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Tape and Reel Information

Marking

XDs

Lead Free

Packing

BSD314SPE

PG-SOT-363 H6327: 3000 pcs/ reel

Yes

Non dry

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

-1.5

-1.2

-6.1

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=-1.5A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

I _D=-1.5 A,

V _DS=-16V,

di /dt =-200A/µs,

T _j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

±20

0.5

Power dissipation¹⁾

P _tot

T _A=25 °C

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

ESD Class

-55 ... 150

1000V to 2000V

260 °C

JESD22-A114 -HBM

Soldering Temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

°C

55/150/56

Rev 2.4

page 1

2013-04-15

12 3 4 5 6 7...9

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