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BSD816SNH6327XTSA1

更新时间： 2024-11-30 14:32:59

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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BSD816SNH6327XTSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSD816SNH6327XTSA1 数据手册

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BSD816SN

OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V_DS

160

240

1.4

• N-channel

R_DS(on),max

V_GS=2.5 V

V_GS=1.8 V

• Enhancement mode

• Ultra Logic level (1.8V rated)

I_D

• Avalanche rated

• Qualified according to AEC Q101

PG-SOT363

• 100% lead-free; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Tape and Reel Information

Marking

XAs

Lead Free

Yes

Packing

Non dry

BSD816SN PG-SOT363 H6327: 3000 pcs/ reel

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

1.4

1.1

5.6

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=1.4 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

3.7

I _D=1.4 A, V _DS=16 V,

di /dt =200 A/µs,

T _j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

±8

Power dissipation¹⁾

P _tot

T _A=25 °C

0.5

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

ESD Class

-55 ... 150

0 (<250V)

260 °C

JESD22-A114 -HBM

Soldering Temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

55/150/56

Rev 2.5

page 1

2013-04-15

12 3 4 5 6 7...9

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