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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.85 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSD254AR | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose |
|
| BSD314SPE | INFINEON |
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OptiMOS?-P 3 Small-Signal-Transistor |
|
| BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| BSD316SN | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor |
|
| BSD3A031V | UMW |
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反向截止电压（Vrwm）:3.3V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unid |
|
| BSD3A051V | UMW |
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反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir |
|
| BSD3C031V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:3.3V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidi |
|
| BSD3C051V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidire |
|
| BSD5A051U | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir |
|
| BSD5A051V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir |
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