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BSC16DN25NS3G_11

更新时间： 2024-11-20 09:00:23

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	578K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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BSC16DN25NS3G_11 数据手册

Type

BSC16DN25NS3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

250

165

10.9

• Optimized for dc-dc conversion

• N-channel, normal level

R_DS(on),max

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Low on-resistance R _DS(on)

PG-TDSON-8

• 150 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC16DN25NS3 G

PG-TDSON-8

16DN25NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

10.9

7.7

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=5.5 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

Reverse diode dv /dt

120

kV/µs

dv /dt

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

62.5

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

Rev. 2.2

page 1

2011-07-14

12 3 4 5 6 7...9

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