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BS62LV2007HC10

更新时间： 2024-09-10 03:53:19
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 241K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA36

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BS62LV2007HC10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FBGA, BGA36,6X8,30
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最长访问时间：100 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B36JESD-609代码：e0
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
端子数量：36字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA36,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：5e-7 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BS62LV2007HC10 数据手册

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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM  
256K X 8 bit  
BS62LV2007  
BSI  
„ DESCRIPTION  
„ FEATURES  
The BS62LV2007 is a high performance , very low power CMOS  
Static Random Access Memory organized as 262,144 words by 8 bits  
and operates in a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage.  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current of  
0.1uA and maximum access time of 70ns in 3V operation.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW chip  
enable (CE1), an active HIGH chip enable (CE2), and active LOW  
output enable (OE) and three-state output drivers.  
• Wide Vcc operation voltage : 2.4V ~ 5.5V  
• Very low power consumption :  
Vcc = 3.0V C-grade : 20mA (Max.) operating current  
I- grade : 25mA (Max.) operating current  
0.1uA (Typ.) CMOS standby current  
Vcc = 5.0V C-grade : 35mA (Max.) operating current  
I- grade : 40mA (Max.) operating current  
0.6uA (Typ.) CMOS standby current  
• High speed access time :  
The BS62LV2007 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
The BS62LV2007 is available in the JEDEC standard 36 ball Mini  
BGA 6x8 mm.  
-70  
-10  
70ns(Max.) at Vcc = 3.0V  
100ns(Max.) at Vcc = 3.0V  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
• Fully static operation  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE2, CE1, and OE options  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
(ns)  
STANDBY  
Operating  
(I , Max)  
CC  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
TEMPERATURE  
Vcc  
RANGE  
PKG  
TYPE  
(I  
, Max)  
CCSB1  
Vcc=  
3.0V  
Vcc=  
5.0V  
Vcc=  
3.0V  
Vcc=  
5.0V  
Vcc=  
3.0V  
BS62LV2007HC  
BS62LV2007HI  
0 O C to +70 O  
C
70/100  
70/100  
6 uA  
0.7 uA  
35 mA  
20 mA  
25 mA  
BGA-36-  
0608  
2.4V ~5.5V  
-40 O C to +85 O  
C
25 uA  
1.5 uA  
40 mA  
„ BLOCK DIAGRAM  
„ PIN CONFIGURATIONS  
A13  
A17  
A15  
A16  
A14  
Address  
Memory Array  
1024 x 2048  
20  
1024  
Row  
Input  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
Decoder  
Buffer  
2048  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
8
Data  
Input  
Buffer  
8
Column I/O  
Write Driver  
Sense Amp  
8
8
Data  
Output  
Buffer  
256  
Column Decoder  
16  
CE1  
CE2  
Control  
Address Input Buffer  
WE  
OE  
Vdd  
Gnd  
A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10  
A11  
Brilliance Semiconductor, Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 2.1  
Jan. 2004  
R0201-BS62LV2007  
1
12345678

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与BS62LV2007HC10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS62LV2007HC70 BSI

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 		Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
BS62LV2007HCG10 BSI

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 		Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, MINIBGA-36
BS62LV2007HCG70 BSI

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 		Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
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 		Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
BS62LV2007HI BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit
BS62LV2007HI10 BSI

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 		Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA36
BS62LV2007HI70 BSI

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 		Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
BS62LV2007HIG10 BSI

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 		Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, MINIBGA-36
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