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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.01 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS107RLRB | MOTOROLA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BS107RLRE | MOTOROLA |
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250mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| BS107RLRF | MOTOROLA |
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250mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| BS107RLRM | MOTOROLA |
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250mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| BS107RLRP | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| BS107T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 130MA I(D) | TO-92VAR |
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| BS107-TR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BS107ZL1 | MOTOROLA |
获取价格 |
250mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| BS108 | MOTOROLA |
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200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL |
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| BS108 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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