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BS108

更新时间: 2024-11-18 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BS108 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):0.25 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.35 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NOBase Number Matches:1

BS108 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BS108  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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