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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.83 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS108-A | DIODES |
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230mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| BS108-AMMO | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose |
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| BS108AMO | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-92VAR |
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| BS108B | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BS108G | ONSEMI |
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Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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| BS108ZL1 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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| BS108ZL1G | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
|
| BS109 | VISHAY |
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DMOS Transistors (N-Channel) |
|
| BS10-D | PANDUIT |
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NON-INSULATED BUTT SPLICE |
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| BS10-L | PANDUIT |
获取价格 |
NON-INSULATED BUTT SPLICE |
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