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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS108B | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BS108G | ONSEMI |
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Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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| BS108ZL1 | ONSEMI |
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Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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| BS108ZL1G | ONSEMI |
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Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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| BS109 | VISHAY |
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DMOS Transistors (N-Channel) |
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| BS10-D | PANDUIT |
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NON-INSULATED BUTT SPLICE |
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| BS10-L | PANDUIT |
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NON-INSULATED BUTT SPLICE |
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| BS10P-SHF-1AA | JST |
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*受保护的折叠梁端子有停止过应力功能，提供高接触压力。*两面接触构造br>*接线柱宽度较大 |
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| BS-1-1 | ADAM-TECH |
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9 Volt Battery Snap |
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| BS110 | ETC |
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O RING NITRIL INNEN 3/8ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk. |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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