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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.56 |
| 其他特性： | EUROPEAN PART NUMBER | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS108 | MOTOROLA |
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200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL |
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| BS108 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BS108 | VISHAY |
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DMOS Transistors (N-Channel) |
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| BS108 | ONSEMI |
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Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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| BS108,126 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, |
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| BS108/D | ETC |
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Small Signal MOSFET 250 mAmps， 200 Volts， Log |
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| BS108/E6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 230MA I(D) | TO-92 |
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| BS108/E7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 230MA I(D) | TO-92 |
|
| BS108_11 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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| BS108A | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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