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BS107-TR1 PDF预览

BS107-TR1

更新时间： 2024-11-19 21:17:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 72K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92-18RM, 3 PIN

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BS107-TR1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：0.12 A最大漏源导通电阻：28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BS107-TR1 数据手册

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VN2010L/BS107  
Vishay Siliconix  
N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
VN2010L  
BS107  
10 @ V = 4.5 V  
0.8 to 1.8  
0.8 to 3  
0.19  
0.12  
GS  
200  
28 @ V = 2.8 V  
GS  
D Low On-Resistance: 6 W  
D Low Offset Voltage  
D High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids,  
Lamps, Hammers, Displays, Transistors, etc.  
D Secondary Breakdown Free: 220 V D Full-Voltage Operation  
D Telephone Mute Switches, Ringer Circuits  
D Power Supply, Converters  
D Motor Control  
D Low Power/Voltage Driven  
D Low Input and Output Leakage  
D Excellent Thermal Stability  
D Easily Driven Without Buffer  
D Low Error Voltage  
D No High-Temperature  
“Run-Away”  
TO-226AA  
(TO-92)  
TO-92-18RM  
(TO-18 Lead Form)  
1
2
3
1
2
3
S
G
D
D
G
S
Device Marking  
Front View  
Device Marking  
Front View  
“S” VN  
2010L  
xxyy  
“S” BS  
107  
xxyy  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
Top View  
VN2010L  
Top View  
BS107  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
VN2010L  
BS107  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
200  
"30  
0.19  
0.12  
0.8  
200  
"25  
0.12  
DS  
GS  
V
T = 25_C  
A
A
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T = 100_C  
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
A
0.8  
0.5  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
0.32  
156  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
250  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 70215  
S-04279—Rev. C, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
12345

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与BS107-TR1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS107ZL1 MOTOROLA

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 		250mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BS108 MOTOROLA

获取价格

 		200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL
BS108 NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BS108 VISHAY

获取价格

 		DMOS Transistors (N-Channel)
BS108 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level
BS108,126 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 300 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43,
BS108/D ETC

获取价格

 		Small Signal MOSFET 250 mAmps， 200 Volts， Log
BS108/E6 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 230MA I(D) | TO-92
BS108/E7 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 230MA I(D) | TO-92
BS108_11 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

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