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BM60016FV-CE2

更新时间： 2024-02-02 03:53:03

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		驱动光电二极管接口集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	1103K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 3A, PDSO10, SSOP-10

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BM60016FV-CE2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SSOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.81
内置保护：	UNDER VOLTAGE	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G10	长度：	8 mm
功能数量：	1	端子数量：	10
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出电流流向：	SOURCE AND SINK	标称输出峰值电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.9 mm	最大供电电压：	5.5 V
最小供电电压：	4.5 V	标称供电电压：	5 V
电源电压1-最大：	24 V	电源电压1-分钟：	10 V
电源电压1-Nom：	15 V	表面贴装：	YES
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	0.075 µs
接通时间：	0.075 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

BM60016FV-CE2 数据手册

Datasheet

Gate Driver Providing Galvanic isolation Series

Isolation voltage 2500Vrms

1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation

BM60016FV-C

General Description

Key Specifications

The BM60016FV-C is a gate driver with an isolation

voltage of 2500Vrms, I/O delay time of 75ns, and

minimum input pulse width of 60ns. It incorporates the

Under-voltage Lockout (UVLO) function and Miller clamp

function.

Isolation voltage:

2500Vrms

24V

75ns(Max)

60ns

Maximum gate drive voltage:

I/O delay time:

Minimum input pulse width:

Features

¢ Providing Galvanic Isolation

¢ Active Miller Clamping

¢ Under-voltage Lockout function

¢ UL1577(pending)

Package

W(Typ) x D(Typ) x H(Max)

3.5mm x10.2mm x 1.9mm

SSOP-B10W

¢ AEC-Q100 Qualified ^(Note1)

(Note 1:Grade1)

Applications

¢ IGBT Gate Driver

¢ MOSFET Gate Driver

SSOP-B10W

Typical Application Circuits

GND2

VCC2

OUT

GND1

UVLO1

VCC1

UVLO2

Pre-

driver

INA

INB

Pulse

Generator

C_VCC2

C_VCC1

GND1

GND2

1pin

Figure 1. Application Circuits (IGBT Gate Driver)

GND2

VCC2

OUT

GND1

VCC1

INA

UVLO1

UVLO2

Pre-

driver

Pulse

Generator

INB

C_VCC2

C_VCC1

GND2

1pin

GND1

Figure 2. Application Circuits (MOSFET Gate Driver)

〇Product structure : Silicon integrated circuit 〇This product has no designed protection against radioactive rays

.www.rohm.com

TSZ22111 • 15 • 001

TSZ02201-0818ABH00150-1-2

30.May.2016 Rev.001

1/25

12 3 4 5 6 7...29

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BM60051FV-C	ROHM	获取价格	Buffer/Inverter Based Peripheral Driver,
BM60051FV-C_15	ROHM	获取价格	1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage
BM60051FV-CE2	ROHM	获取价格	1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage
BM60052AFV-C	ROHM	获取价格	这是一款内置隔离元件的栅极驱动器，绝缘电压为2500Vrms，输入输出延迟时间为120ns
BM60052FV-CE2	ROHM	获取价格	Buffer/Inverter Based Peripheral Driver
BM60054AFV-C	ROHM	获取价格	这是一款内置隔离元件的栅极驱动器，绝缘电压为2500Vrms，输入输出延迟时间为120ns
BM60054FV-C	ROHM	获取价格	Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation
BM60054FV-CE2	ROHM	获取价格	Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation
BM60055FV-C	ROHM	获取价格	1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage
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