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BLP25M710F

更新时间： 2024-11-07 20:50:55

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恩智浦 - NXP		/
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BLP25M710

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BLP25M710F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SON	针数：	12
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Base Number Matches：	1

BLP25M710F 数据手册

BLP25M710

Broadband LDMOS driver transistor

Rev. 1 — 29 August 2013

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

A 10 W LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the

HF to 2500 MHz band.

Table 1.

Application information

Test signal

I_Dq

V_DS

(V)

P_L

(W)

G_p

_D

IMD_shldr

(dBc)

47.5 ^[1]

PAR

(dB)

9.5 ^[2]

(MHz)

858

2450

(mA)

110

(dB)

20.9

16.2

(%)

17.1

64.5

DVB-T

Pulsed RF ^[3]

[1] Measured [dBc] with delta marker at 4.3 MHz from center frequency.

[2] PAR (of output signal) at 0.01 % probability on CCDF; PAR of input signal = 9.5 dB at 0.01 % probability on

CCDF.

[3] Measured at  = 10 %, t_p= 12 s.

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (HF to 2500 MHz)

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Industrial, scientific and medical applications

 Broadcast transmitter applications

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