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BLP25M705F

更新时间： 2024-11-07 20:51:15

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恩智浦 - NXP		/
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9页	94K
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BLP25M705

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BLP25M705F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SON	包装说明：	,
针数：	12	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	配置：	Single
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BLP25M705F 数据手册

BLP25M705

Broadband LDMOS driver transistor

Rev. 1 — 15 August 2013

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

A 5 W LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the

HF to 2500 MHz band.

Table 1.

Application information

Test signal

I_Dq

V_DS

(V)

P_L

(W)

G_p

_D

(MHz)

(mA)

(dB)

15.8

(%)

41.4

Pulsed RF ^[1]

2450

[1] Measured at  = 10 %, t_p= 12 s.

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 High power gain

 Designed for broadband operation (HF to 2500 MHz)

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Industrial, scientific and medical applications

 Broadcast transmitter applications

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