5秒后页面跳转
BLP1010 PDF预览

BLP1010

更新时间: 2024-09-17 03:22:15
品牌 Logo 应用领域
上海贝岭 - BELLING /
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
BLP1010

BLP1010 数据手册

 浏览型号BLP1010的Datasheet PDF文件第2页 
BLP1010  
PNSi光电池  
描述  
工作在低频区域Si电池,可接收波长处于峰值波长附近的光信号  
应用  
遥控电路  
光纤通信  
结构  
芯片结构:平PN结构  
电极:顶AlSi  
外形图和尺寸  
Anode  
P
芯片尺寸:10 mm × 10 mm  
芯片厚度:300±25µm  
Cathode  
N
纵向结构  
P
N
N
芯片结构:平PN结构  
电极:AlSi  
N
http://www.belling.com.cn  
- 1 -  
Total 2 Pages  
8/18/2006  

与BLP1010相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BLP10H603AZ ETC

获取价格

RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
BLP10H605AZ ETC

获取价格

RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
BLP10H610AZ ETC

获取价格

RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
BLP10H610Z ETC

获取价格

RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
BLP10H6120PGY ETC

获取价格

RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
BLP10H6120PY ETC

获取价格

RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF
BLP10H630PGY ETC

获取价格

RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
BLP10H630PY ETC

获取价格

RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF
BLP10H660PGY ETC

获取价格

RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
BLP10H660PY ETC

获取价格

RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF