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BLL6H0514-25

更新时间： 2024-02-20 17:53:54

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LDMOS driver transistor

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BLL6H0514-25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLL6H0514-25 数据手册

BLL6H0514-25

LDMOS driver transistor

Rev. 04 — 30 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

25 W LDMOS transistor intended for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz range.

Table 1.

Application information

Typical RF performance at T_case= 25 °C; I_Dq= 50 mA; in a class-AB application circuit.

Mode of operation

t_p

V_DSP_L

G_p

RL_inη_D

P_droop(pulse)

t_r

t_f

(MHz)

(μs) (%) (V)

(W) (dB) (dB) (%) (dB)

(ns) (ns)

pulsed RF

960 to 1215

1200 to 1400

128

300

0.05

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features and benefits

Easy power control

Integrated ESD protection

High flexibility with respect to pulse formats

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (0.5 GHz to 1.4 GHz)

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

Amplifiers for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz frequency range

12 3 4 5 6 7...12

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