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BLL6H1214-500

更新时间： 2024-01-09 23:16:02

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管雷达放大器局域网
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20页	191K
描述
LDMOS L-band radar power transistor

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BLL6H1214-500 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	45 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLL6H1214-500 数据手册

BLL6H1214-500

LDMOS L-band radar power transistor

Rev. 02 — 1 April 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

500 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to

1.4 GHz range.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 °C; t_p= 300 μs; δ = 10 %; I_Dq= 150 mA; in a class-AB

production test circuit.

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L

G_p

(dB) (%)

17 50

η_D

t_r

t_f

(GHz)

(W)

500

(ns)

pulsed RF

1.2 to 1.4 50

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features and benefits

Typical pulsed RF performance at a frequency of 1.2 GHz to 1.4 GHz, a supply voltage

of 50 V, an I_Dqof 150 mA, a t_pof 300 μs with δ of 10 %:

Output power = 500 W

Power gain = 17 dB

Efficiency = 50 %

Easy power control

Integrated ESD protection

High flexibility with respect to pulse formats

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances

(RoHS)

12 3 4 5 6 7...20

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