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BLL6H1214-500,112

更新时间： 2024-01-21 10:43:56

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其他 - ETC		局域网放大器晶体管
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21页	1573K
描述
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A

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BLL6H1214-500,112 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82

BLL6H1214-500,112 数据手册

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BLL6H1214-500;

BLL6H1214LS-500

LDMOS L-band radar power transistor

Rev. 4 — 1 September 2015

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

500 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to

1.4 GHz range.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 C; t_p= 300 s;  = 10 %; I_Dq= 150 mA; in a class-AB

production test circuit.

Test signal

V_DS

(V)

P_L

G_p

_D

t_r

t_f

(GHz)

(W)

500

(dB)

(%)

(ns)

pulsed RF

1.2 to 1.4

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 High flexibility with respect to pulse formats

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)

 Internally matched for ease of use

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances

(RoHS)

1.3 Applications

 L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequency

range

12 3 4 5 6 7...21

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