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BLL6H0514LS-130,11

更新时间： 2024-01-18 20:19:38

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描述
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B

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BLL6H0514LS-130,11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLATPACK, S-CDFP-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	S-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLL6H0514LS-130,11 数据手册

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BLL6H0514L-130;

BLL6H0514LS-130

LDMOS driver transistor

Rev. 3 — 1 September 2015

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

130 W LDMOS transistor intended for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz

range.

Table 1.

Application information

Typical RF performance at T_case= 25 C; I_Dq= 50 mA; in a class-AB application circuit.

Mode of operation

t_p



V_DS

(V)

P_L

G_p

RL_in_D

P_droop(pulse)t_r

t_f

(MHz)

(s)

128

(%)

(W)

130

(dB) (dB) (%)

(dB)

(ns)

pulsed RF

960 to 1215

1200 to 1400 300

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 High flexibility with respect to pulse formats

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (0.5 GHz to 1.4 GHz)

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Amplifiers for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz frequency range

12 3 4 5 6 7...13

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