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BLL6H0514-25,112

更新时间： 2024-01-24 14:23:27

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其他 - ETC		局域网放大器晶体管
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12页	874K
描述
RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C

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BLL6H0514-25,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.31	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLL6H0514-25,112 数据手册

BLL6H0514-25

LDMOS driver transistor

Rev. 5 — 1 September 2015

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

25 W LDMOS transistor intended for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz range.

Table 1.

Application information

Typical RF performance at T_case= 25 C; I_Dq= 50 mA; in a class-AB application circuit.

Mode of operation

t_p



V_DSP_L

G_p

RL_in_D

P_droop(pulse)

t_r

t_f

(MHz)

(s) (%) (V)

(W) (dB) (dB) (%) (dB)

(ns) (ns)

pulsed RF

960 to 1215

1200 to 1400

128

300

0.05

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 High flexibility with respect to pulse formats

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (0.5 GHz to 1.4 GHz)

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Amplifiers for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz frequency range

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