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BGA427E6327

更新时间： 2024-10-28 14:51:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		射频微波
页数	文件大小	规格书
7页	538K
描述
Narrow Band Medium Power Amplifier, 100MHz Min, 1800MHz Max, 1 Func, BIPolar,

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BGA427E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOT-343R	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.1	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	28.5 dB
最大输入功率 (CW)：	-10 dBm	JESD-609代码：	e3
功能数量：	1	最大工作频率：	1800 MHz
最小工作频率：	100 MHz	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOT-343R	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	9.4 mA	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

BGA427E6327 数据手册

BGA427



in SIEGET 25-Technologie

Si-MMIC-Amplifier

• Cascadable 50 Ω-gain block

• Unconditionally stable

• Gain |S | = 18.5 dB at 1.8 GHz (Appl.1)

gain |S | = 22 dB at 1.8 GHz (Appl.2)

= +7 dBm at 1.8 GHz (V =3V, I =9.4mA)

3out

D D

• Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz

• Typical device voltage V = 2 V to 5 V

• Reverse isolation > 35 dB (Appl.2)

• Pb-free (RoHS compliant) package

OUT

Circuit Diagram

EHA07378

GND

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BGA427

Marking

BMs

Pin Configuration

2, GND 3, +V

Package

SOT343

1, IN

4, Out

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Device current

Device voltage

V ,+V

150

Total power dissipation

tot

T = 120 °C

dBm

°C

RF input power

Junction temperature

-10

150

RFin

Ambient temperature range

Storage temperature range

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

K/W

≤ 295

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2011-09-15

12 3 4 5 6 7

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