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BGA427

更新时间： 2024-11-26 22:27:39

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英飞凌 - INFINEON		放大器射频微波
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5页	38K
描述
Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 W-gain block Unconditionally stable)

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BGA427 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.25	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	18.5 dB
最大输入功率 (CW)：	-10 dBm	最大工作频率：	1800 MHz
最小工作频率：	100 MHz	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOT-343R	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	9.4 mA	技术：	BIPOLAR

BGA427 数据手册

BGA 427

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

Preliminary data

• Cascadable 50 Ω-gain block

• Unconditionally stable

• Gain |S | = 18,5 dB at 1.8 GHz (appl.1)

gain |S | = 22 dB at 1.8 GHz (appl.2)

= +7 dBm at 1.8 GHz (V =3V, I =9.4mA)

D D

3out

VPS05605

• Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz

• typical device voltage V = 2 V to 5 V

• Reverse isolation < 35 dB (appl.2)

OUT

Circuit Diagram

EHA07378

GND

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BGA 427 BMs

Q62702-G0067 1, IN

2, GND 3, +V

4, Out

SOT-343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Device current

Device voltage

V ,+V

150

dBm

°C

Total power dissipation, T ≤ tbd °C

tot

RFin

-10

R input power

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

-65 ...+150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

K/W

≤ tbd

thJS

1) T is measured on the emitter (GND) lead at the soldering point to the pcb

Semiconductor Group

Au -11-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3 4 5

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