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BFR360F-E6327

更新时间： 2024-09-29 14:48:31

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Transistor

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BFR360F-E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.21 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	11000 MHz	Base Number Matches：	1

BFR360F-E6327 数据手册

BFR360F

NPN Silicon RF Transistor

• Low noise amplifier for low current applications

• Collector design supports 5V supply voltage

• For oscillators up to 3.5 GHz

• Low noise figure 1.0 dB at 1.8 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFR360F

Marking

FBs

Pin Configuration

2 = E 3 = C

Package

TSFP-3

1 = B

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

210

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 98°C

150

-55 ... 150

Junction temperature

Storage temperature

Stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 250

Unit

K/W

thJS

¹T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

²For calculation of R

please refer to Application Note AN077 Thermal Resistance

thJA

2010-05-20

12 3 4 5 6 7...11

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